takya.ru страница 1страница 2
скачать файл


МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

Санкт-Петербургский государственный университет аэрокосмического приборостроения



ЭЛЕКТРОНИКА - 1

Методические указания к выполнению лабораторных работ по исследованию полупроводниковых диодов

Санкт-Петербург

2007


Составители: А.П. Абрамов, В.В. Опарин

Рецензент доктор технических наук профессор П.Н. Петров

Методические указания содержат описание лабораторной установки, порядок выполнения, требования к отчету и контрольные вопросы к лабораторным работам по дисциплинам «Электроника», «Твердотельная электроника», «Электромеханика и электроника» (раздел «Электронные приборы») для студентов специальностей 2004, 2007, 2008, 2013, 2014, 2016, 1312.

Цикл лабораторных работ по курсу «Электроника» предназначен для закрепления знаний теоретического курса, ознакомления с современными электронными приборами, а также для приобретения студентами навыков научного исследования и работы с измерительной аппаратурой.

Подготовлены кафедрой электроники и оптической связи и рекомендованы к изданию редакционно-издательским советом Санкт-Петербургского государственного университета аэрокосмического приборостроения.

ПРЕДИСЛОВИЕ


Электроника – это область науки, техники и производства, охватывающая исследования и разработку электронных приборов и принципов их использования.

В основе развития электроники лежит непрерывное усложнение функций, выполняемых электронной аппаратурой. В связи с этим, знание основных свойств полупроводниковых приборов, ознакомление с их конструкцией и элементами технологии изготовления, а также методикой измерения параметров, является основополагающим для грамотного проектирования радиоэлектронных схем.

Цель предлагаемого цикла лабораторных работ заключается в том, чтобы в сжатом виде предоставить информацию об основных свойствах полупроводников и электронно-дырочных переходов, вольт – амперных характеристиках диодов, а также другие сведения о полупроводниковых диодах, которые наиболее часто требуются разработчикам радиоэлектронной аппаратуры. Кратко описан принцип действия, конструкция и технология изготовления полупроводниковых диодов. Приводятся электрические параметры диодов, методика их измерения, а также сведения об эксплуатационных свойствах диодов.

В основу предлагаемого цикла лабораторных работ по курсу «Электроника» положен системный подход к освоению лекционного материала, создающий общий фундамент, на базе которого возможна дальнейшая специализация студента в области электроники. Кроме того, при исследовании характеристик полупроводниковых диодов в лабораторных условиях студенты существенным образом повышают навыки работы с современными цифровыми приборами, в частности, с Digital Multimeter MY64 и DC POWER SUPPLY HY3005D-2.



ВВЕДЕНИЕ

Перед выполнением лабораторной работы студент должен повторить или усвоить самостоятельно теоретический материал по теме работы, знать цель работы, основные свойства и характеристики исследуемых полупроводниковых приборов.

До начала работы в лаборатории каждый студент должен ознакомиться с инструкцией по технике безопасности, о чем делается отметка в специальном журнале.

Лабораторные работы выполняются бригадой из 2-3 студентов на универсальных измерительных стендах. Все стенды содержат аналоговые и цифровые источники питания и четыре многофункциональных цифровых измерительных прибора.

Монтаж электрической схемы измерений производится с помощью комплекта соединительных проводов в соответствии со схемой, приведенной в инструкции к лабораторной работе. Собранную схему необходимо предъявить для проверки преподавателю или лаборанту и только с их разрешения включить питание стенда.

Проведение исследований осуществляется в соответствии с заданием и в указанной последовательности. Результаты измерений заносятся в протокол испытаний, который по окончании исследований должен быть представлен для проверки преподавателю.

В процессе выполнения лабораторной работы возможно возникновение следующих опасных факторов: поражение электрическим током и возникновение пожара вследствие того, что электропитание лабораторных установок осуществляется от электросети напряжением 220В частотой 50 Гц.

С целью обеспечения безопасности при работе на лабораторных установках следует руководствоваться ГОСТ 12.3.019-80 «Испытания и измерения электрические. Общие требования безопасности». Конструкции лабораторных установок выполнены с учетом требований ОСТ 40.4-78 «Оборудование учебно-лабораторное. Общие технические требования». В лабораторных установках применены стандартные приборы, выпускаемые промышленностью с учетом требований безопасности. Помещение, в котором находятся лабораторные установки, удовлетворяет требованиям пожарной безопасности по ГОСТ 12.1.004-76 и санитарным нормам СН-245-71.

При выполнении лабораторной работы запрещается:


  • приступать к выполнению лабораторной работы без инструктажа по технике безопасности и разрешения преподавателя;

  • включать силовые рубильники в лаборатории;

  • самостоятельно ремонтировать лабораторный стенд и измерительные приборы;

  • оставлять без наблюдения включенную лабораторную установку;

  • изменять конфигурацию схемы при включенном питающем напряжении;

  • загромождать рабочее место портфелями и другими предметами.



Лабораторная работа № 1

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ВЫПРЯМИТЕЛЬНЫХ ДИОДОВ




Цель работы: изучение свойств германиевого и кремниевого выпрямительных полупроводниковых диодов при изменении температуры окружающей среды, измерение их вольт - амперных характеристик и определение основных параметров .


  1. Методические указания по подготовке к работе

Выпрямительными диодами называют полупроводниковые приборы с одним p-n–переходом, имеющие два вывода и предназначенные для выпрямления переменного тока. Вторым элементом обозначения этих диодов является буква «Д» (КД202А). Условное графическое изображение выпрямительного диода показано на рис. 1.1.



Рис. 1.1. Графическое изображение выпрямительного диода (Iпр – направление прямого тока)

Вольт - амперная характеристика (ВАХ) выпрямительного диода представляет собой зависимость тока, протекающего во внешней цепи диода, от значения и полярности напряжения, прикладываемого к нему. Эту зависимость можно получить экспериментально или рассчитать с помощью уравнения вольт - амперной характеристики идеализированного p-n–перехода



(1.1)

где: I0 – обратный ток насыщения;



φТ – температурный потенциал, равный (0,026 В) при комнатной температуре (Т = 300 К);

U – напряжение, прикладываемое к диоду.

В уравнение (1.1) напряжение U подставляется со знаком «плюс» при включении диода в прямом направлении и со знаком «минус» при включении диода в обратном направлении. Теоретический график ВАХ выпрямительного диода, рассчитанный с помощью выражения (1.1), представлен на рис. 1.2,а. При увеличении обратного напряжения Uобр обратный ток Iобр, протекающий через p-n-переход диода, достигает предельного значения I0 уже при Uобр = 0,1…0,2 В. Следует отметить, что чем больше ширина запрещенной зоны полупроводника и чем выше в нем концентрация примесей, тем меньше величина I0.



Рис. 1.2. Вольт – амперные характеристики выпрямительного диода:



а – теоретическая; б – экспериментальная
При выводе уравнения (1.1) учитывались только диффузионные компоненты тока, протекающего через p-n-переход, и не учитывались такие явления, как термогенерация носителей зарядов в запирающем слое p-n-перехода, поверхностные утечки тока, падение напряжения на сопротивлении нейтральных областей полупроводника, а также наличие пробоя при повышении обратного напряжения. Поэтому теоретический график ВАХ выпрямительного диода отличается от графика ВАХ, снятого экспериментально (рис. 1.2,б).

Отличие экспериментальной обратной ветви ВАХ диода от теоретической обусловлено наличием в реальном диоде не только диффузионного тока экстракции, но и дрейфового тока термогенерации, а также возможностью пробоя p-n-перехода. Ток термогенерации протекает вследствие выброса полем p-n-перехода подвижных носителей заряда, появляющихся в p-n-переходе в результате термогенерации. Так как при обратном напряжении электрическое поле существует только внутри p-n-перехода, то в токе термогенерации участвуют только те подвижные носители заряда, которые рождаются в самом p-n-переходе, т.е. внутри запирающего слоя. Поскольку количество генерируемых носителей зарядов в p-n-переходе пропорционально объему запирающего слоя, ширина которого пропорциональна , то при увеличении обратного напряжения ток термогенерации будет расти также по закону . Поэтому на ВАХ, снятой экспериментально, при увеличении Uобр до определенного значения наблюдается небольшой рост обратного тока. Возрастанию обратного тока способствуют также токи утечки.

В реальном диоде при некотором обратном напряжении наблюдается резкое возрастание обратного тока. Это явление называют пробоем p-n-перехода. Существуют три вида пробоя: туннельный, лавинный и тепловой. Для выпрямительных диодов наибольшее значение имеет тепловой пробой p-n-перехода, так как он приводит к выходу диода из строя.

Тепловой пробой диода обусловлен катастрофическим нарушением его теплового режима. Подводимая к p-n-переходу мощность P = Iобр Uобр расходуется на его нагрев. Образующиеся при этом одноименные носители заряда увеличивают обратный ток, что приводит к увеличению выделяемой мощности и дальнейшему разогреву перехода. При плохих условиях отвода тепла от кристалла процесс принимает лавинообразный характер и заканчивается разрушением кристалла, т.е. выходом диода из строя. Увеличение числа носителей зарядов при нагреве p-n-перехода приводит к уменьшению его сопротивления и выделяемого на нем напряжения. Вследствие этого при тепловом пробое на обратной ветви ВАХ появляется участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением (участок АВ на рис. 1.2). Так как число носителей (а значит, и обратный ток, и выделяемая в переходе мощность) резко (по экспоненциальному закону) увеличиваются с увеличением температуры, то для исключения теплового пробоя температура p-n-перехода должна быть меньше допустимой температуры перехода , которая для германиевых диодов составляет (70-80)0С, а кремниевых – (120-150)0С. В маломощных диодах для этого достаточно выполнить условие . В мощных диодах кроме этого может потребоваться искусственное охлаждение. Величина является важнейшим параметром диода и приводится в соответствующих справочниках. С увеличением температуры возрастает обратный ток диода, и ухудшаются условия отвода тепла, поэтому с увеличением температуры величина заметно уменьшается.

При прямом включении выпрямительного диода отличия теоретической ВАХ от ВАХ, снятой экспериментально, в основном обусловлены сопротивлением R1 электронной и дырочной областей за пределами запирающего слоя. Если сопротивление запирающего слоя обозначить через Rзс, то кристалл полупроводника с запирающим слоем можно представить в виде последовательного соединения резисторов Rзс и R1 (рис. 1.3).

При прохождении прямого тока Iпр на сопротивлении R1 падает часть напряжения Uпр внешнего источника и на запирающем слое действует напряжение . В этом случае уравнение ВАХ может быть записано в следующем неявном виде:



Рис. 1.3. Упрощенная эквивалентная схема p-n-перехода

с распределенным сопротивлением полупроводника


Поскольку Uзс < Uпр вольт – амперная характеристика диода, снятая экспериментально, идет ниже теоретической.

С увеличением прямого напряжения Uпр сопротивление запирающего слоя Rзс уменьшается вследствие инжекции в него основных носителей заряда. При большом значении Uпр, сопротивлением запирающего слоя Rзс можно пренебречь и дальнейшее увеличение прямого тока ограничивается распределенным сопротивлением полупроводников p- и n-типа за пределами p-n-перехода. При этом ВАХ диода переходит в прямую линию.

Основными параметрами выпрямительных диодов являются:


  • - максимально-допустимый прямой ток, при котором температура диода достигает ;

  • - максимально-допустимое обратное напряжение, при котором не происходит пробоя p-n-перехода диода, обычно ;

  • прямое и обратное сопротивления диода постоянному току, определяемые по его ВАХ (рис. 1.2) с использованием следующих соотношений:

Rд пр = Uпр1 / Iпр1; Rд обр = Uобр / Iобр;


  • прямое и обратное дифференциальные сопротивления диода (сопротивления переменному току), которые определяются из следующих соотношений:

r i .пр = ΔUпр / ΔIпр; r i. обр = ΔUобр / ΔIобр.

При этом значения приращений тока ΔI и напряжений ΔU определяются на линейном участке ВАХ в окрестности заданной точки Х (рис. 1.2). Из-за нелинейности ВАХ диода и обе эти величины зависят от рабочей точки, т.е. от величины постоянного напряжения, приложенного к диоду.

В зависимости от значения выпрямляемого тока различают диоды малой , средней и большой мощности. Диоды малой мощности могут рассеивать выделяемую на них теплоту своим корпусом. Для рассеивания теплоты диоды средней мощности располагают на радиаторах охлаждения, для диодов большой мощности может потребоваться и искусственное охлаждение.

Так как допустимая плотность тока, проходящего через p-n-переход, не превышает 2А /1мм2 , то для получения указанных выше значений среднего выпрямленного тока в выпрямительных диодах используют p-n-переходы большой площади. Получающаяся при этом большая емкость p-n-перехода существенного влияния на работу выпрямительного диода не оказывает в связи с малыми рабочими частотами.

Характеристики и параметры выпрямительных диодов существенно зависят от полупроводникового материала, в первую очередь от ширины запрещенной зоны ΔW. На рис. 1.4 представлены вольт – амперные характеристики германиевого (Ge) и кремниевого (Si) выпрямительных диодов, имеющих одинаковую конструкцию и предназначенных для работы в одном и том же диапазоне токов и напряжений. Так как ширина запрещенной зоны у кремния больше, чем у германия, обратный ток кремниевых диодов значительно (несколько порядков) меньше.

У германиевого диода на обратной ветви ВАХ имеется ярко выраженный участок насыщения, поскольку его обратный ток определяется током экстракции, который описывается уравнением (1.1). Обратный ток кремниевого диода монотонно возрастает с увеличением Uобр, так как у кремниевых диодов ток экстракции весьма мал и обратный ток определяется главным образом токами термогенерации и утечки.



Iпр Iпр

mA 500С 200С mA 500С 200С

200 200

Ge Si

100 100




2 1 0 0,2 2 1 0 0,5

Uобр Uпр Uобр Uпр

B B B B

2 0,01

Iобр Iобр

mA mA
Рис. 1.4. Вольт - амперные характеристики германиевого (Ge) и кремниевого (Si) выпрямительных диодов
При дальнейшем увеличении обратного напряжения в диодах происходит пробой. Вследствие большого обратного тока у германиевых диодов наступает тепловой пробой, приводящий к разрушению кристалла. У кремниевых диодов из-за малого обратного тока вероятность теплового пробоя мала, и у них вначале возникает электрический пробой, который может перейти в тепловой пробой при слишком большом увеличении тока.

Прямой ток полупроводникового диода также зависит от ΔW, так как увеличение ΔW приводит к увеличению потенциального барьера в переходе и, следовательно, к уменьшению прямого тока. Сравнение германиевых и кремниевых диодов легко провести с помощью формулы (1.1): вследствие меньшего значения I0 для кремниевого диода его прямой ток, равный току германиевого диода, достигается при большем значении прямого напряжения. Поэтому при одних и тех же значениях Iпр, мощность, рассеиваемая германиевыми диодами, меньше чем кремниевыми. По этой же причине у германиевых диодов существенно меньше Uпор и ri пр.

На характеристики диодов существенное влияние оказывает температура окружающей среды. С ростом температуры становится интенсивнее термогенерация носителей зарядов, что приводит к увеличению как обратного, так и прямого тока диода, однако причины этого роста неодинаковы.

Обратный ток является током неосновных носителей зарядов, и увеличение их концентрации в результате усиления термогенерации непосредственно ведет к росту обратного тока. Прямой ток является током основных носителей зарядов, концентрация которых в рабочем диапазоне температур от температуры не зависит. Однако увеличение концентрации неосновных носителей зарядов при повышении температуры приводит к уменьшению высоты потенциального барьера перехода, что и вызывает увеличение прямого тока.

Для приближенной оценки можно считать, что с увеличением температуры на 100С обратный ток германиевых диодов возрастает в 2, а кремниевых – в 2,5 раза. Однако вследствие того, что при комнатной температуре обратный ток у германиевого диода значительно больше, чем у кремниевого, абсолютное значение приращения обратного тока у германиевого диода с ростом температуры оказывается в несколько раз больше, чем у кремниевого. Это приводит к увеличению потребляемой диодом мощности, его разогреву и уменьшению напряжения теплового пробоя.

Пробой кремниевых диодов определяется процессами лавинного умножения носителей зарядов при ионизации атомов кристаллической решетки. С повышением температуры увеличивается тепловое рассеивание подвижных носителей зарядов и уменьшается длина их свободного пробега. Для того чтобы электрон на меньшем пути приобрел энергию, достаточную для ионизации, необходимо увеличение ускоряющего поля, что достигается при большем обратном напряжении. Это объясняет увеличение пробивного напряжения кремниевых диодов с ростом температуры.



2. Схемы исследования
Схемы исследования прямой и обратной ветви вольт – амперной характеристики выпрямительного диода представлены на рис. 1.5. Каждая из этих схем собирается поочередно в левом верхнем квадранте монтажного шасси с использованием комплекта соединительных проводов.

а)

б)
Рис. 1.5. Схемы исследования вольт – амперной характеристики выпрямительного диода: а – прямой ветви ВАХ, б – обратной ветви ВАХ.
Напряжение питания подается с гнезд источника стабилизированного напряжения Е-1, снабженного собственной цифровой индикацией и плавной регулировкой R9 выходного напряжения.

Измерения напряжения, приложенного к выпрямительному диоду, и постоянного тока, протекающего во внешней цепи диода, осуществляются с помощью цифровых тестеров серии MY6x. При этом тестер, используемый для измерения тока, всегда включается последовательно с исследуемым объектом; а тестер, используемый для измерения напряжения, всегда включается параллельно с исследуемым объектом.

Для измерения постоянного напряжения красный щуп выбранного тестера (ММ-х) необходимо подключить к гнезду (V/Ω/Hz), а переключатель «род работы и пределы» (РРП) должен быть установлен в сектор V=“ на соответствующий предел измерения, указанный в схеме исследования.

Для измерения постоянного тока красный щуп выбранного тестера (ММ-х) необходимо подключить к гнезду (A), если измеряемый ток больше 200mA, либо к гнезду (mA), если измеряемый ток меньше 200mA. Переключатель РРП должен быть установлен в сектор A=“ на соответствующий предел измерения, указанный в схеме исследования.


3. Порядок выполнения работы
3.1. На тестере ММ-1 переключатель РРП установить в положение (0С). Включить тестер ММ-1 нажатием красной кнопки (on/off). Определить температуру окружающей среды Токр.ср., считав показания тестера, и полученный результат занести в таблицы 1.1 и 1.2. Выключить тестер ММ-1 нажатием красной кнопки (on/off).

3.2. Собрать схему, изображенную на рис. 1.5,а, используя тестеры ММ-2 и ММ-3, а в качестве исследуемого объекта германиевый выпрямительный диод Д305. Установить регулировку напряжения R9 источника питания Е-1 в крайнее левое положение, вращая ее против часовой стрелки. Переключатель РРП тестера ММ-2 установить в секторе “V=” на предел измерения 2В. Переключатель РРП тестера ММ-3 установить в секторе “A=” на предел измерения 10А, при этом, красный щуп тестера ММ-3 установить в красное гнездо «А». Убедиться, что расположенные на монтажном шасси переключатель П1 находится в положение «Выкл.», а переключатель П2 – в положение «Пр. ветвь ВАХ ГД, КД, КС». Предъявить собранную схему преподавателю для проверки. После проверки схемы преподавателем включить тестеры ММ-2 и ММ-3 нажатием красных кнопок (on/off) и включить источник питания Е-1 нажатием кнопки “POWER”.

Исследовать прямую ветвь ВАХ германиевого выпрямительного диода Д305 при комнатной температуре, т.е. исследовать зависимость Iпр = ƒ(Uпр), где Iпр – прямой ток, протекающий во внешней цепи диода, а Uпр – прямое напряжение, приложенное к диоду.

Вращая R9 источника питания Е-1 по часовой стрелке устанавливать на цифровом табло тестера ММ-3 значения Iпр от 0 до 0,04A с шагом 0,01A, а от 0,04 до 0,28A с шагом 0,04A. При каждом значении Iпр с помощью тестера ММ-2 фиксировать значения Uпр и полученные результаты занести в таблицу 1.1.



Установить R9 источника питания Е-1 в крайнее левое положение. Заменить германиевый выпрямительный диод Д305 на кремниевый выпрямительный диод КД202А и аналогичным образом исследовать прямую ветвь его ВАХ при комнатной температуре. Результаты измерений занести в таблицу 1.1.

Таблица 1.1

Токр. ср (0С)

Тип диода

Iпр, A

0

0,01

………

0,28




Д305

Uпр, В

0













КД202А

Uпр, В

0











Закончив измерения, установить R9 в крайнее левое положение, выключить источник питания Е-1 и тестеры ММ-2 и ММ-3.

3.3. Собрать схему, изображенную на рис. 1.5,б, используя в качестве исследуемого объекта германиевый выпрямительный диод Д305. Для коммутации полярности подключенного источника питания Е-1 на противоположную установить переключатель П2, расположенный на монтажном шасси, в положение «Обр. ветвь ВАХ ГД, КС». Установить переключатель РРП тестера ММ-2 в секторе “V=” на предел измерения 20В, а тестера ММ-3 - в секторе “A=” на предел измерения 2mА, при этом, красный щуп тестера ММ-3 установить в красное гнездо «mА». Предъявить собранную схему преподавателю для проверки.

После проверки схемы преподавателем включить тестеры ММ-2 и ММ-3 нажатием красных кнопок (on/off) и включить источник питания Е-1 нажатием кнопки “POWER”.

Исследовать обратную ветвь ВАХ германиевого выпрямительного диода Д305 при комнатной температуре, т.е. исследовать зависимость Iобр = ƒ(Uобр), где Iобр – обратный ток, протекающий во внешней цепи диода, а Uобр – обратное напряжение, приложенное к диоду.

Вращая R9 источника питания Е-1 по часовой стрелке устанавливать на цифровом табло тестера ММ-2 значения Uобр от 0 до -10В с шагом -1В. При каждом значении Uобр с помощью тестера ММ-3 фиксировать значения Iобр и полученные результаты занести в таблицу 1.2. Отметить Iобр при Uобр = -0,2В.
Таблица 1.2

Токр. ср (0С)

Тип диода

Uобр, В

0

- 0,2

-1

………

-10




Д305

Iобр, mA

0














Закончив измерения, установить R9 в крайнее левое положение, выключить источник питания Е-1 и тестеры ММ-2 и ММ-3.

3.4. Открыть крышку термостата и, установив в ее гнезда германиевый выпрямительный диод Д305, вернуть крышку в исходное положение. Установить переключатель РРП тестера ММ-1 в положение (0С). Подключить к гнездам «TEMP» тестера ММ-1 желтую вилку термопары, соблюдая при этом «ключ» ее включения. Подключить термостат к гнездам “p” и “n” монтажного шасси с помощью соединительных проводов термостата, имеющих на конце аналогичные обозначения. Предъявить собранную схему преподавателю для проверки.

После проверки схемы преподавателем включить тестер ММ-1 нажатием красной кнопки (on/off). Включить термостат, для этого переключатель «Х» установить в положение «Вкл.», а переключатель «У» - в положение «ОХЛАЖДЕНИЕ». Когда показания на цифровом табло тестера ММ-1 достигнут значений -20С≤Токр.ср.≤00С, по аналогии с пунктом 3.3 провести исследование обратной ветви ВАХ германиевого выпрямительного диода Д305. Результаты измерений занести в таблицу 1.3.

Отметить Iобр при Uобр = -0,2В.



Таблица 1.3

Токр. ср (0С)

Тип диода

Uобр, В

0

- 0,2

-1

………

-10




Д305

Iобр, mA

0












Закончив измерения, установить R9 в крайнее левое положение, выключить источник питания Е-1 и тестеры ММ-2 и ММ-3. Термостат и тестер ММ-1 не выключать.

3.5. Собрать схему, изображенную на рис. 1.5,а. Переключатель РРП тестера ММ-2 установить в секторе “V=” на предел измерения 2В. Переключатель РРП тестера ММ-3 установить в секторе “A=” на предел измерения 10А, при этом, красный щуп тестера ММ-3 установить в красное гнездо «А». Установить переключатель П2, расположенный на монтажном шасси, в положение «Пр. ветвь ВАХ ГД, КД, КС». Предъявить собранную схему преподавателю для проверки.

После проверки схемы включить источник питания Е-1 и тестеры ММ-2 и ММ-3. По аналогии с пунктом 3.2 провести исследование прямой ветви ВАХ германиевого выпрямительного диода Д305 при пониженной температуре окружающей среды. Результаты измерений занести в таблицу 1.4.



Установить R9 источника питания Е-1 в крайнее левое положение. Заменить германиевый выпрямительный диод Д305 на кремниевый выпрямительный диод КД202А. Через (10–15) мин исследовать прямую ветвь ВАХ диода КД202А при пониженной температуре. Результаты измерений занести в таблицу 1.4.

Таблица 1.4

Токр. ср (0С)

Тип диода

Iпр, A

0

0,01

………

0,28




Д305

Uпр, В

0













КД202А

Uпр, В

0












Закончив измерения, установить R9 в крайнее левое положение, выключить термостат, источник питания Е-1 и тестеры: ММ-1, ММ-2 и ММ-3.
  1. скачать файл


следующая страница >>
Смотрите также:
Методические указания к выполнению лабораторных работ по исследованию полупроводниковых диодов Санкт-Петербург 2007
481.38kb.
Исследование операций методические указания по выполнению лабораторных работ Разработчик профессор кафедры асу
1013.27kb.
Методические указания по выполнению контрольных работ включают методические указания по выполнению контрольных работ, задания контрольной работы, вопросы для подготовки к экзамену, список рекомендуемой литературы
488.03kb.
Методические указания по выполнению контрольных работ для студентов заочной формы обучения и слушателей факультета обучения в сокращенные сроки по специальности 030501 «Юриспруденция»
482.83kb.
Методические указания по выполнению лабораторных работ по дисциплине «Компьютерная графика»
128.68kb.
Зав кафедрой иксу
142.55kb.
Методические указания по выполнению лабораторных работ для студентов 2 курса Лабораторная работа Изучение волоконных световодов
275.86kb.
Руководство к выполнению лабораторных работ для студентов III курса
437.05kb.
Методические аспекты прогнозирования экономических процессов
124.27kb.
Методические указания для студентов по проведению лабораторных работ по дисциплине «Мультимедийные технологии»
894.89kb.
Методические указания для студентов 1 и II курсов дневного и заочного отделений экономических специальностей Санкт-Петербург
613.48kb.
Методические указания по выполнению контрольных работ По промышленной технологии Лекарственных средств для специальности
1036.28kb.